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Si3445DV
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.042 at V GS = - 4.5 V
0.060 at V GS = - 2.5 V
0.080 at V GS = - 1.8 V
I D (A)
± 5.6
± 4.7
± 2.9
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 1.8 V Rated
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TSOP-6
Top V ie w
1
6
(4) S
3 mm
2
3
5
4
(3) G
2.85 mm
(1, 2, 5, 6) D
Orderin g Information: Si3445D V -T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si3445D V -T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a, b
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
Maximum Power Dissipation a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 5.6
± 4.5
± 20
- 1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
106
62.5
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board.
b. t ≤ 5 s.
Document Number: 70820
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
www.vishay.com
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